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J-GLOBAL ID：201002215020052200   整理番号：10A1041230

ゾルゲルディップコーティングと抵抗蒸着により成長させたSnO₂:Eu³⁺/GaAsヘテロ接合における界面形成と電気的輸送

Interface Formation and Electrical Transport in SnO₂:Eu³⁺/GaAs Heterojunction Deposited by Sol-Gel Dip-Coating and Resistive Evaporation

著者 (4件)： PINEIZ Tatiane F. (Sao Paulo State Univ., SP, BRA) ,  SCALVI Luis V.A. (Sao Paulo State Univ., SP, BRA) ,  SAEKI Margarida J. (Sao Paulo State Univ., SP, BRA) ,  DE MORAIS Evandro A. (Minas Gerais Federal Univ., MG, BRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 8  ページ： 1170-1176  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化スズ(SnO₂)は広バンドギャップ半導体であり,ガスセンサ,透明電極や光電子素子などに広く使われている。一方,3価希土類イオンは広い光学遷移性を示すため,新しい光電子素子用の材料として期待されている。本稿では,酸化物半導体SnO₂に希土類Eu³⁺にドープし,SnO₂の上にGaAsを蒸着した,SnO₂:Eu³⁺/GaAsヘテロ接合の界面構造と発光特性を調べた。その結果,SnO₂:2at.%EuおよびGaAs薄膜と比べて抵抗がはるかに低いことが分かった。断面をSEMで調べた結果,界面が明確に認められ,良好な密着性と均一性が明らかになった。抵抗が低い理由は,二次元電子ガス(2DEG)挙動による小さいチャネルの生成のためと考えられる。

シソーラス用語： *酸化スズ ,  バンドギャップ ,  希土類元素 ,  電子遷移 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  エレクトロトランスポート ,  二次元電子ガス ,  *ゾル-ゲル法 ,  ヒ化ガリウム ,  界面 ,  表面構造 ,  発光 ,  *ユウロピウム
準シソーラス用語： GaAs ,  ワイドバンドギャップ ,  界面構造 ,  光学遷移 ,  *酸化物半導体 ,  電気的輸送 ,  発光特性

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  成長 ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  電気的輸送