OTS-SAMとSiO<sub>2</sub>コーティングを用いたシリコンのマイクロマシニングにおける小丘形成の予防

OH T-s.; KIM H-j.; KIM D-e.

文献

J-GLOBAL ID：201002215709484469 整理番号：10A0537169

OTS-SAMとSiO₂コーティングを用いたシリコンのマイクロマシニングにおける小丘形成の予防

Prevention of hillock formation during micro-machining of silicon by using OTS-SAM and SiO₂ coatings

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資料名：
巻： 59 号： 1 ページ： 259-262 発行年： 2010年
JST資料番号： E0026A ISSN： 0007-8506 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

シリコンウエハのマイクロマシニング特性に関して,望ましくない小丘の形成を排除する目的で,SiO₂とOTS-SAM薄膜で構成される二重コーティングシステムを使用することの実現可能性を調査した。最表面OTS-SAMコーティングは,SiO₂膜をパターン化するための犠牲層として使われ,シリコン基板のパターン化に役立つ。マイクロマシニングにより選択的にOTS-SAMコーティングを除去した後,SiO₂層を除去するためにHFとKOH化学エッチ法を行い,シリコン基板上にパターンを形成する。この方法により約1μm幅の溝は,望ましくない小丘の形成をせず,うまくシリコンウエハ上に生成する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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固体デバイス製造技術一般

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OTS-SAMとSiO2コーティングを用いたシリコンのマイクロマシニングにおける小丘形成の予防

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