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J-GLOBAL ID：201002215732767710   整理番号：10A0316983

GaN/AlGaN/GaNへのSiイオン二重注入

著者 (3件)： 椎野智久 (法政大 大学院工学研究科) ,  稲田太郎 (法政大 イオンビーム工研) ,  中村徹 (法政大 イオンビーム工研)
資料名： 法政大学イオンビーム工学研究所報告  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University)
号： 29  ページ： 14-15  発行年： 2010年03月10日 
JST資料番号： S0830B  ISSN： 0286-0201  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： サファイア基板上にGaN/AlGaN/GaN基板を成長させ,RFスパッタ法により窒化シリコン膜で保護した表面へ,80keVのSi⁺イオン,ついで30keVのSi⁺イオンを室温で注入した。その後窒素雰囲気中1200°Cで2分間熱処理を行い,試料の表面をAFM,電気特性を抵抗測定およびホール効果測定,コンタクト抵抗をTLM法により測定した。すべてのイオン注入,熱処理工程において,GaN/AlGaN/GaN基板の表面形状はイオン注入前と比べて変化のないことが分かった。コンタクト抵抗は80keVのイオンだけを注入した時より低下し,シート抵抗も30keVのイオンだけを注入した時より低下した。従って,二重イオン注入により,コンタクト抵抗,シート抵抗ともに低下させることができた。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ケイ素 ,  *イオン注入 ,  熱処理 ,  表面粗さ ,  温度依存性 ,  半導体薄膜 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *HEMT ,  シート抵抗 ,  接触抵抗 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  *二重イオン注入

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  AlGaN ,  Siイオン ,  注入