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J-GLOBAL ID：201002216083325866   整理番号：10A0680434

低LUMO準位と狭いエネルギーギャップを持つジチエニルベンゾビス(チアジアゾール)ベースの有機半導体

Dithienylbenzobis(thiadiazole) based organic semiconductors with low LUMO levels and narrow energy gaps

著者 (6件)： KONO Takahiro (Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  KUMAKI Daisuke (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  NISHIDA Jun-ichi (Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  TOKITO Shizuo (Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  TOKITO Shizuo (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  YAMASHITA Yoshiro (Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名： Chemical Communications  (Chemical Communications)
巻： 46  号： 19  ページ： 3265-3267  発行年： 2010年05月21日 
JST資料番号： D0376B  ISSN： 1359-7345  CODEN： CHCOFS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能な空気中で安定なnチャネルOFET(有機電界効果トランジスタ)は稀で,低電圧で高利得なCMOSインバータ用に開発が望まれている。そこで,平面構造で強い電子アクセプターであり,S---Nの強い分子間相互作用があり,HOMO-LUMOエネルギーギャップが小さい4種類のベンゾビス(チヤジアゾール)(BBT)誘導体を合成した。サイクリックボルタンメトリー(CV),UPS,XRD,SEMにより結晶構造,イオン化ポテンシャル,HOMO-LUMOエネルギーギャップを示した。さらにトップミンタクトとボトムコンタクトFETを作製し,トランスファー曲線,キャリア移動度を測定した。その結果,,トップコンタクトFETにおいて0.77cm²V^-1s^-1の高いキャリア移動度を示す,空気中で安定な有機半導体を見出した。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  エネルギーギャップ ,  *フロンティア軌道 ,  *有機半導体 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  X線回折 ,  光電子分光法 ,  電子顕微鏡観察 ,  結晶構造 ,  イオン化ポテンシャル ,  *キャリア移動度

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (4件)： 4,7-ビス[5-[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-2-チエニル]-2,1,3-ベンゾチアジアゾール ,  4,8-ビス(1-ベンゾチオフェン-2-イル)-2,3-ジデヒドロ-3H-2-チア(IV)-6-チア-1,3,5,7-テトラアザ-s-インダセン ,  4,8-ビス(2-チエニル)-2,3-ジデヒドロ-3H-2-チア(IV)-6-チア-1,3,5,7-テトラアザ-s-インダセン ,  4,8-ビス[5-[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-2-チエニル]-2,3-ジデヒドロ-3H-2-チア(IV)-6-チア-1,3,5,7-テトラアザ-s-インダセン

タイトルに関連する用語 (4件)： LUMO ,  エネルギーギャップ ,  チアジアゾール ,  有機半導体