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J-GLOBAL ID：201002216101673052   整理番号：10A0265313

InGaAs/InAlAs5層の非対称結合量子井戸をもつ低電圧Mach-Zehnder変調素子

Low Voltage Mach-Zehnder Modulator with InGaAs/InAlAs Five Layer Asymmetric Coupled Quantum Wells

著者 (4件)： USHIGOME M. (Yokohama National Univ.) ,  FUKUOKA M. (Yokohama National Univ.) ,  ARAKAWA T. (Yokohama National Univ.) ,  TADA K. (Kanazawa Inst. Technol., JPN)
資料名： Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society)  (Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society))
巻： 2009 Vol.2  ページ： 434-435  発行年： 2009年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー(MBE)と湿式エッチングを用いて,標題の5層非対称量子井戸(FACQW)に基づくMach-Zehnder変調素子を試作した。この素子は0.5mmの移相器とY分岐を集積することで,2.3Vの低い半波電圧特性を得ることができた。

シソーラス用語： *光変調素子 ,  *Mach-Zehnder干渉計 ,  *量子井戸 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  多層膜 ,  *MBE成長 ,  移相器 ,  分岐回路 ,  *エッチング ,  光通信 ,  電圧 ,  非対称性 ,  ヘテロ接合 ,  ウェットエッチング ,  ヒ化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： InAlAs ,  湿式エッチング

分類 (4件)： 光変調器  (BD06020W) ,  干渉測定と干渉計  (BD07070G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  非対称 ,  結合量子井戸 ,  低電圧 ,  変調