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J-GLOBAL ID：201002216821223402   整理番号：10A1021666

幅広縞選択領域の機金属気相エピタキシーにより作製したモノリシック集積InGaNベース多色発光ダイオード

Monolithically Integrated InGaN-Based Multicolor Light-Emitting Diodes Fabricated by Wide-Stripe Selective Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

著者 (4件)： SHIODA Tomonari (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 9  ページ： 092104.1-092104.3  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,選択領域有機金属気相エピタキシー(SAMOVPE)により多色発光ダイオード(LED)のモノリシック集積を証明した。相対的に幅広い(>30μm)マスクの使用によりInGaN層の厚さおよび組成の両方の大きな面内変調が生じ,広い範囲波長変調が可能となった。幅広いマスクは,前駆体の気相拡散によりエレクトロルミネセンススペクトルをより長波長側にシフトさせた。LED素子は60μm幅の成長領域の中心で形成され,そのピーク波長はターンオン電圧近傍で454~546nmそして高注入条件下で454~485nmをカバーした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *発光ダイオード ,  *窒化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *半導体集積回路 ,  マスク ,  光 ,  *波長
準シソーラス用語： モノリシック集積回路 ,  *多色光 ,  *多波長

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (15件)：

• NARUKAWA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L1084
• QI, Y. D. J. Cryst. Growth. 2004, 272, 333
• DAMILANO, B. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, L918
• FUNATO, M. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 021126
• WUNDERER, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 041121

タイトルに関連する用語 (8件)： 幅広 ,  縞 ,  気相エピタキシー ,  作製 ,  モノリシック集積 ,  InGaN ,  多色発光 ,  ダイオード