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J-GLOBAL ID:201002217014805186   整理番号:10A0328661

酸化アルミニウムバッファ層を用いるアルコールガスソース法による単層カーボンナノチューブ成長に及ぼすバッファ厚さの効果

Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth Using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 3929-3933  発行年: 2010年06月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Co/Al2Ox触媒をSiO2(100nm)/Si基板上に形成させた。Alをプラズマ曝露後,空気酸化によりAl2Oxを形成させた後,室温で電子ビーム蒸着させ,Co/Al2Ox膜を形成させた。これを触媒に用いて10-1Paの圧力でエタノールから触媒CVDにより垂直整列の単層カーボンナノチューブ(SWNT)を作製した。Co粒子の粒径はAl2Oxバッファ層の厚さに依存し,バッファ層厚さが厚くなると,SWNTの収率が低下した。これはCoがバッファ層に拡散するためと考察した。
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