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J-GLOBAL ID：201002217062786649   整理番号：10A0924539

外因性欠陥により生じたCu IMD-TDDBのモデリング

Modeling of Cu IMD-TDDB caused by extrinsic defects

著者 (5件)： OUCHI T. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki-ken, JPN) ,  MAKABE K. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki-ken, JPN) ,  OGASAWARA M. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki-ken, JPN) ,  MURAKAMI E. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki-ken, JPN) ,  YOSHIOKA N. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki-ken, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 120-124  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu IMD(金属間誘電膜)-TDDB(時間依存誘電破壊)は,典型的な不良モードの一つである。Cu IMD-TDDBの劣化不良比率(Bモード)の予測方法について調べた。ランダム欠陥により生じた,誘電膜薄型化に基づくCu IMD-TDDBのBモードをモデル化した。限界領域解析(CAA)により,その確率を計算した。このモデルによる予測は,実測定データと良く一致した。これから,Bモードの主原因は,外因性ランダム欠陥であることを示した。さらに,距離を動作時間に変換した結果,この方法を実LSI製品の信頼性設計にに容易に応用することができた。

シソーラス用語： *銅 ,  モデリング ,  *絶縁破壊 ,  *時間依存性 ,  劣化故障 ,  細線化 ,  *信頼性設計 ,  *LSI【IC】 ,  テスト構造 ,  絶縁膜
準シソーラス用語： TDDB

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 欠陥 ,  Cu ,  IMD ,  TDDB ,  モデリング