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J-GLOBAL ID：201002217095691996   整理番号：10A0371740

プロトンポンピングゲート構造による電界効果トランジスタ型水素センサの高機能化

著者 (4件)： 山口富治 (岡山大) ,  假谷正敏 (岡山大) ,  紀和利彦 (岡山大) ,  塚田啓二 (岡山大)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 77th  ページ： 142  発行年： 2010年03月26日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ガスセンサ ,  プロトン伝導 ,  水素エネルギー ,  白金電極 ,  *電極 ,  解離吸着 ,  スパッタ蒸着 ,  金属薄膜 ,  膜透過 ,  電極電位 ,  *水素センサ
準シソーラス用語： *ゲート電極 ,  パラジウム電極 ,  電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  水素センサ ,  高機能化