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J-GLOBAL ID：201002217449198800   整理番号：10A0924550

短絡回路試験下のD級増幅器とロバスト性ドライバー素子の低側ドライバーの不良機構

LOW-SIDE DRIVER’S FAILURE MECHANISM IN A CLASS-D AMPLIFIER UNDER SHORT CIRCUIT TEST AND A ROBUST DRIVER DEVICE

著者 (4件)： LEE Jian-Hsing (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) ,  SHIH J. R. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) ,  ONG Tong-Chern (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) ,  WU Kenneth (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 182-187  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短絡回路試験下のD級音声増幅器の不良機構について解析した。常に低側ドライバーで生じる損傷は,過大電流の検出後の停止中に起こる,高電流誘起熱暴走に起因した。短絡回路試験用に用いた,高電圧18V CMOSプロセスによる従来型2重拡散素子から構成した完全ブリッジD級音声増幅器について検討した。D級増幅器を短絡回路試験により認定する必要がある場合,短絡回路電流を維持できるほど充分大寸法を有するトランジスタを設計する必要があるとともに,大短絡回路過渡電流による熱暴走を防止できるロバスト性構造を用いて設計する必要がある。この損傷を防止するため,N⁺とNDD領域下にN井戸ストラップを有する改造素子構造を提案した。このロバスト性ドライバーを用いることにより,システム設計者は,この種の損傷を防止するために個別ショットキーダイオードを用いる必要がなくなった。

シソーラス用語： *短絡【電気】 ,  *回路試験 ,  *低周波増幅器 ,  ロバスト性 ,  *駆動回路 ,  暴走反応 ,  *故障解析 ,  シミュレーション ,  短絡電流 ,  衝突イオン化 ,  音声増幅器
準シソーラス用語： D級増幅器 ,  熱暴走

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 短絡 ,  回路試験 ,  D級増幅器 ,  ロバスト性 ,  ドライバー