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J-GLOBAL ID:201002217508606054   整理番号:10A0434370

ホモシステイン単分子層修飾ゲートを持つ電界効果トランジスタによるアラニンエナンチオマ間のキラル認識

Chiral discrimination between alanine enantiomers by field effect transistor with a homocysteine monolayer-modified gate
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巻: 55  号: 15  ページ: 4501-4505  発行年: 2010年06月01日 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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電界効果トランジスタ(FET)のキラル認識への適用を調べた。FETのSiO2ゲート上に接着および絶縁層として形成された(3-メルカプトプロピル)トリメトキシシランの自己集合単分子層上に析出したAu蒸気膜は,FETのドレイン電流-ゲート電圧(Id-Vg)性を安定化する。Au被覆ゲートの表面上のホモシステイン(Hcy)SAMによる修飾は,FETがアラニン(Ala)のエナンチオマ間での識別を可能にする。すなわち,この系でのK2SO4溶液へのAlaとCu(II)の逐次添加後に,FETに関するId-Vg曲線の水平シフトがAlaのキラリティに相当することを確認した。l-Hcy SAM-修飾ゲートを持って,l-Alaに関して,注目すべき負のシフトを観察したが,一方で,d-Alaに関して観察されたシフトはずっと小さかった。対照的に,d-Hcy SAMについて反対の結果を得た。水晶微量天秤測定の結果は,FET応答は,Hcy SAM上にAla分子を持つジアステレオマCu錯体のエナンチオ選択的形成に由来するものと示唆した。この系は,純エナンチオマ溶液と同様に二つのエナンチオマの混合溶液中のAlaの一つのエナンチオマ形に定量的に応答することを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (5件):
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アミノ酸  ,  分子構造  ,  トランジスタ  ,  電極過程  ,  反応の立体化学 
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