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J-GLOBAL ID：201002217689642359   整理番号：10A0134498

GaN系発光ダイオードのOhm接触技術: P型接触の役割

Ohmic-Contact Technology for GaN-Based Light-Emitting Diodes: Role of P-Type Contact

著者 (3件)： SONG June O (LG Innotek (LGIT), Gwangju, KOR) ,  HA Jun-Seok (Univ. California, CA, USA) ,  SEONG Tae-Yeon (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 1  ページ： 42-59  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 照明用GaN系発光ダイオード(LED)の作製には,MOCVD成長によるp型GaNに対し,接触抵抗の低い高品質のOhm接触を開発する必要がある。この論文では,低抵抗p型Ohm接触技術の開発における最近の進歩を概説した。大きな仕事関数をもつ金属,表面処理,超格子および歪層,中間層の利用など,透明Ohm接触および反射形Ohm接触を形成するためのさまざまな方法を紹介した。高パワー縦型LEDの開発には,内部量子効率の向上に加えて,外部量子効率の向上(すなわちOhm接触の性質の改善)が必要とされる。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  *Ohm接触 ,  P型半導体 ,  透明電極 ,  仕事関数 ,  表面処理 ,  接触抵抗 ,  超格子 ,  反射体 ,  電流電圧特性 ,  文献展望 ,  中間層

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  発光ダイオード ,  Ohm接触 ,  役割