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J-GLOBAL ID：201002217812919891   整理番号：10A0525287

6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析

著者 (3件)： 高梨優樹 (山形大 大学院理工学研究科) ,  鈴木貴彦 (山形大 大学院理工学研究科) ,  廣瀬文彦 (山形大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 11(ED2010 1-16)  ページ： 67-72  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高移動度p型有機半導体としてしられるチオフェンオリゴマーのαゼクチオフェンを用いてn^-Siとのヘテロ接合ダイオードを試作した。ダイオードは良好な整流特性を示すほか,そのJ-V特性からMIS型ショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-VとC-V解析から,ショットキーダイオードとしての諸特性,すなわちショットキー障壁φ_B,内蔵電位φ_biをそれぞれ求めた。また理想係数nが3.3と高い数値が得られていることから,有機無機ヘテロ界面に薄い絶縁層が形成されていることもわかった。薄い絶縁層の厚みは25nmと推定される。また内蔵電位は0.4Vであり,Si層の界面付近に空乏層が形成されており,光が入射するとそこで電荷分離が起こり,発電動作が起きることも分かった。試作太陽電池では0.4%の発電効率があり,電力発電の用途のほか,光センサーや太陽電池用の不活性化膜としての用途も期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *ポリチオフェン ,  オリゴマ ,  *接合ダイオード ,  ヘテロ接合 ,  Schottky障壁 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  *太陽電池 ,  *電荷 ,  *キャリア注入 ,  空乏層 ,  エネルギー変換効率 ,  有機半導体
準シソーラス用語： 有機無機接合 ,  発電効率

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： α-セキシチオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  接合ダイオード ,  電荷注入 ,  発電特性 ,  解析