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J-GLOBAL ID：201002217989234767   整理番号：10A0024603

4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長

High rate growth of GaN using 4 inch×11 multi wafer MOVPE reactor (UR25K)

著者 (13件)： 矢野良樹 (大陽日酸) ,  池永和正 (大陽日酸) ,  徳永裕樹 (大陽日酸) ,  山本淳 (大陽日酸イー・エム・シー) ,  田渕俊也 (大陽日酸) ,  内山康右 (大陽日酸イー・エム・シー) ,  山口晃 (大陽日酸) ,  福田靖 (大陽日酸) ,  生方映徳 (大陽日酸) ,  原田康博 (大陽日酸イー・エム・シー) ,  伴雄三郎 (大陽日酸イー・エム・シー) ,  松本功 (大陽日酸イー・エム・シー) ,  山崎利明 (大陽日酸)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 289(CPM2009 102-133)  ページ： 93-96  発行年： 2009年11月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置(UR25K)を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短縮を目的として,UR25Kを使用して大気圧下で10μm/hの速度でGaNを成長した。X線回折ロッキングカーブの半値幅は(0002)方向で200arcsec,(10-12)方向で260arcsecとなった。残留炭素濃度は2.5×10¹⁶cm^-3であった。また,n-GaNを3.6μm/hで成長したLEDサンプルと,10μm/hで成長したLEDサンプルを作製した。それぞれのEL特性を調べたところ,ほぼ同じレベルであった。以上の結果から,UR25KにおけるGaNの高速成長がGaN系デバイスの成長時間短縮に貢献できる可能性があると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  *結晶成長 ,  *発光ダイオード
準シソーラス用語： *MOVPE ,  *GaN ,  LED

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 大型 ,  MOVPE ,  窒化ガリウム ,  成長