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J-GLOBAL ID:201002218236608156   整理番号:10A0031436

強誘電半導体の分極で誘起された空乏領域の証拠

Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors
著者 (2件):
資料名:
巻: 95  号: 25  ページ: 252904  発行年: 2009年12月21日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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強誘電材料には正から負の表面結合電荷に向かった自発分極がある。強誘電半導体を分極すると誘起電場が自由キャリア,すなわちn型材料の電子を駆動して電場がゼロになるまで表面電荷を中性化する。そのような自由電荷の拡散により空乏領域が生じる。分極スイッチはこの空乏領域を対抗面に移動させ,表面空乏領域に影響される一方向電流及び光電流のような特性の操作に用いることができる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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