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J-GLOBAL ID：201002218240771487   整理番号：10A0525325

溶解過程を用いることにより作成された単一壁カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ

Single-walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Made by Using Solution Process

著者 (6件)： YI Xun (Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN) ,  OZAWA Hiroaki (Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN) ,  NAKAGAWA Gou (Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN) ,  FUJIGAYA Tsuyohiko (Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN) ,  NAKASHIMA Naotoshi (Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 15(SDM2010 1-16)  ページ： 67-70  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶解過程を用いることにより,単一壁カーボンナノチューブ(SWCNT)薄膜トランジスタ(TFT)が作成される。PFO-Bipy(PFOb)は,ソリッドSWCNT粉末からユニークなキラリティ(6.5)を持つ半導体SWCNT(s-SWCNT)を選択するための高度選択性を与えるものと期待されるため,PFObはSWCNTを水溶性にするための可溶化剤として選択された。アニーリング過程の後でのドロップコーティング手法を用いたバックゲートデバイスに対し,SWCNT TFTの50年間以上に亘るオン/オフ比が達成された。その結果により,PFO-Bipy可溶化剤は,s-SWCNTの選択を行い,TFTアプリケーションのためにCNTソリューションを準備するための期待の持てる候補の一つであることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  溶解 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  光学異性 ,  選択性 ,  可溶化剤 ,  アニーリング【現象】
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  キラリティー ,  *単一壁カーボンナノチューブ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： PFOB

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶解 ,  過程 ,  単一壁カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ