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J-GLOBAL ID：201002218393643577   整理番号：10A0867881

ナノ結晶化によるケイ酸亜鉛鉱型Zn₂GeO₄の欠陥活性化

Defect activation in willemite-type Zn₂GeO₄ by nanocrystallization

著者 (5件)： TAKAHASHI Yoshihiro (Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  ANDO Masataka (Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  IWASAKI Kenichiro (Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  MASAI Hirokazu (Div. of Materials Chemistry, Inst. for Chemical Res., Kyoto Univ., Gokasho, Uji 611-0011, JPN) ,  FUJIWARA Takumi (Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 7  ページ： 071906  発行年： 2010年08月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15Li₂O-15ZnO-70GeO₂ガラスのナノ結晶化により,格子間Zn欠陥(Zn_i^*)がケイ酸亜鉛鉱型半導性Zn₂GeO₄中へ選択的に導入されることを実証した。得られたナノ結晶化ガラスはZn₂GeO₄からできており,長実証持続する光ルミネセンス(LLP)を見せた。ナノ結晶化中,Zn₂GeO₄相の6員環を通して亜鉛イオンが捕獲されてZn_i^*ができ,この過剰なZn_i^*がLLPの電子トラップとして作用すると推測した。ナノ結晶化を通したこの欠陥活性化は機能化に対する新しい方法になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化リチウム ,  化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  酸化ゲルマニウム ,  酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  格子間原子 ,  *結晶化 ,  *光ルミネセンス ,  捕獲中心 ,  ガラス ,  再結合放射 ,  再結合中心 ,  ESR【磁気共鳴】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ結晶化 ,  ケイ酸 ,  亜鉛鉱 ,  欠陥 ,  活性化