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J-GLOBAL ID：201002218684984185   整理番号：10A1340433

In_xFe_yCo_4-ySb₁₂の低温輸送性質

Low-Temperature Transport Properties of In_xFe_yCo_4-ySb₁₂

著者 (4件)： LESZCZYNSKI J. (Ecole Nationale Superieure des Mines de Nancy, Nancy, FRA) ,  DAUSCHER A. (Ecole Nationale Superieure des Mines de Nancy, Nancy, FRA) ,  MASSCHELEIN P. (Ecole Nationale Superieure des Mines de Nancy, Nancy, FRA) ,  LENOIR B. (Ecole Nationale Superieure des Mines de Nancy, Nancy, FRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 9  ページ： 1764-1768  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スクッテルダイト化合物の熱電特性を改良するために,各種のゲスト原子により構造的ボイドを充填することが知られている。これは主に,格子熱伝導率の強い現象のためである。本稿では,アンチモン化コバルト(CoSb₃)系化合物,In_xCo₄Sb₁₂に対するIn充填の検討を行った。その結果,充填されるボイドはx≒0.25であった。これ以上のIn充填には電荷補償が必要であり,Coの一部をFeで置換したスクッテルダイト化合物In_xFe_yCo_4-ySb₁₂について調べた。ほとんどはp型であったが,InとFeの比がちょうど2以下のときn型導電性を示した。弱いFe依存性Seebeck係数と関連して,p型In_xFe_yCo_4-ySb₁₂化合物を得ることができた。

シソーラス用語： *輸送係数 ,  熱電効果 ,  *熱電材料 ,  空孔欠陥 ,  熱伝導率 ,  格子振動 ,  アンチモン化物 ,  コバルト化合物 ,  *インジウム添加合金 ,  不純物補償
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *アンチモン化コバルト ,  *スクッテルダイト ,  ボイド【結晶】 ,  格子熱伝導率 ,  電荷補償

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 低温輸送 ,  性質