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J-GLOBAL ID：201002219013680234   整理番号：10A0463016

Si(100),Si(111)基盤GaAsからのTHz波放射

著者 (13件)： 吉岡貴至 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  ESTACIO Elmer (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  鷹取慧 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  PHAM Minh Hong (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  CADATAL-RADUBAN Marilou (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  中里智治 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  清水俊彦 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  猿倉信彦 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  MISA John Vincent (Univ. Philippines) ,  JACULBIA Rafael (Univ. Philippines) ,  DEFENSOR Michael (Univ. Philippines) ,  SOMINTAC Armando (Univ. Philippines) ,  SALVADOR Arnel (Univ. Philippines)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19A-L-7  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *分光用光源 ,  *電磁波 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  ケイ素 ,  光ポンピング ,  パルスレーザ照射 ,  サファイアレーザ ,  磁場効果 ,  放射強度 ,  界面 ,  歪場 ,  Ti-サファイアレーザ ,  *テラヘルツ波

分類 (2件)： 光源  (BD07020D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  基盤 ,  GaAs ,  THz波放射