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J-GLOBAL ID：201002219139862435   整理番号：10A0249006

スパッタリング法で作製したチタンドーピングITO薄膜

Titanium Doped ITO Thin Films Produced by Sputtering Method

著者 (3件)： VOISIN Leandro (New Ind. Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.) ,  OHTSUKA Makoto (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.) ,  NAKAMURA Takashi (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 51  号： 3  ページ： 503-509 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムスズ(ITO)薄膜は,通常はIn₂O₃-10mass%SnO₂対象で製造され,液晶ディスプレイ(LCD),フラットパネルディスプレイ(FPD),プラズマディスプレイ,タッチパネルなどのような光電子機器の精密化に広く利用されており,低体積低効率,高透過率などのような独特な光電子性質が要求される。現況の高コストやインジウムの限定供給のため,ITO薄膜生産のドーパント元素として,チタンを調べた。スパッタリング法を二つ実行した。コンビナトリアル法は,In₂O₃-10mass%SnO₂とチタンのターゲットを同時にスパッタし,同時スパッタリング法は,前回のターゲットに加えて,In₂O₃-50mass%SnO₂とTiO₂ターゲットもスパッタする。金属及び二酸化物としてチタンでドープしたITO薄膜の光電子性質に及ぼす酸素流と熱処理温度の影響を調べ,In₂O₃のビクスビ鉱型構造の結晶化を基に結果を考察した。スパッタリング法でITO薄膜の製造中ドーパント元素としてチタンを利用することは,有望になることが得られた結果から分った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： チタン ,  *酸化インジウムスズ ,  スパッタリング ,  ドーピング ,  液晶ディスプレイ ,  ドーパント ,  フラットパネルディスプレイ ,  プラズマディスプレイ ,  ターゲット ,  酸化チタン ,  酸化インジウム ,  コンビナトリアルケミストリー ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  蒸着膜 ,  透過率
準シソーラス用語： *ITO ,  コンビナトリアル ,  透明導電性酸化物

分類 (2件)： 表示機器  (NC06030Q) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• MONKADE, M. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 856-858
• TANG, C. W. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 183-185
• TANG, C. W. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913-915
• HAMBERG, I. J. Appl. Phys. 1986, 60, 123-159
• MIKOLAJCZAK, C. Proc. 22nd EU PV Conference, Milan, Italy, 2009. 2009

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  チタン ,  ドーピング ,  ITO薄膜