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J-GLOBAL ID：201002219169324861   整理番号：10A1114596

クラック増加と応力制御によるSLiMカット薄厚シリコンウエハ製作

SLiM-Cut thin silicon wafering with enhanced crack and stress control

著者 (4件)： VAES Jan (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  MASOLIN Alex (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  PESQUERA Amaia (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  DROSS Frederic (Imec vzw, Heverlee, BEL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7772  ページ： 777212.1-777212.11  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池のコスト低減には,基本材料であるシリコンを薄くすることが重要である。本稿では,imec社が開発した薄厚シリコンウエハ製作法(SLiMカット法)を紹介した。高温で厚いシリコン基板上に金属膜を形成し,室温まで冷却した時に生じる内部応力を利用して基板との界面に横方向のクラックを生じさせ,界面で剥離させる。この後,金属層をエッチングすることにより薄いシリコン箔を得ることができる。この方法では,700°Cの比較的低温でリフトオフにより薄いシリコン箔を得られる。あらゆる結晶方位の膜が可能であるが,特に<111>結晶方位のシリコンが最もよい結果を示した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *太陽電池 ,  *原価低減 ,  内部応力 ,  *亀裂伝搬 ,  微細加工 ,  結晶方位
準シソーラス用語： コスト低減 ,  シリコンウエハ ,  リフトオフ加工

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： クラック ,  厚 ,  シリコンウエハ ,  製作