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J-GLOBAL ID:201002220803503454   整理番号:10A0978318

ナノプローバを用いたコンタクトレベルPVC(受動電圧コントラスト)の電気特性評価

Electrical Characterization of Contact Level PVC (Passive Voltage Contrast) Test Using a Nanoprober
著者 (5件):
資料名:
巻: 17th  ページ: 286-289  発行年: 2010年 
JST資料番号: W1259A  ISSN: 1946-1542  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた,受動電圧コントラスト(PVC)故障隔離方法は,CMOS論理SRAMビットセルアレイの欠陥金属コンタクトを隔離するために幅広く使用されてきた。ナノプロービング方法を用いて,SRAMビットセルの各金属コンタクトの電流を検査し,PVC充電試験の画像との相関関係を求めた。PVC試験下の順バイアス印加P+/N井戸接合は,~mA電流レベルの最高輝度色を示した。逆バイアス条件下のN+/P井戸コンタクトの場合,ナノアンペア(nA)レベルを有する鮮明な灰色を示した。ゲート酸化膜漏洩レベルの視点から,ピコアンペア(pA)の超低漏洩電流は,パスゲートコンタクトで実暗色を示した。しかし,10pAの若干増した漏洩電流は,暗色から濃灰色に急変化した。以上の結果から,PVC試験は,高分解能により故障隔離用に非常に効果的方法であると結論した。透過型電子顕微鏡(TEM)結果から,PVC充電試験下で,パスゲート酸化膜厚さの差により,コンタクト色が暗色から濃灰色に急変化することを確認した。
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
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