文献

J-GLOBAL ID：201002220819500188   整理番号：10A0686347

自己イオン注入と熱アニーリングにより創った珪素中のサブバンドギャップ発光中心

Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by self-ion implantation and thermal annealing

著者 (4件)： YANG Yu (Inst. of optoelectronic information materials, Yunnan Univ., 2 Northern Cuihu Road, Kunming, Yunnan Province 650091, CHN) ,  BAO Jiming (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, 4800 Calhoun Road, Houston, Texas 77204, USA) ,  WANG Chong (Inst. of Engineering and Technol., Yunnan Univ., 2 Northern Cuihu Road, Kunming, Yunnan Province 650091, CHN) ,  AZIZ Michael J. (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 29 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 123109  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型珪素ウエハ中に珪素サブバンドギャップ発光中心(W,R,D1中心)を自己イオン注入と熱アニーリングにより生成するための条件を調べた。上部表層を逐次除去する前後の光ルミネセンス(PL)スペクトルを測定して発光中心とその空間分布を探針した。W線に対する最適焼なまし温度は約300°Cであった。注入量10¹⁴cm^-2,焼なまし温度700°Cの試料で最強のR線を観測した。D1バンドの創生には最低注入量3×10¹⁴cm^-2,最低焼なまし温度800°Cを必要とした。調べた注入量範囲でW線発光中心がイオン射影飛程の二倍を超えて分布し,R線中心はR_pよりも僅かに深く位置し,D1関連欠陥はR_pとほぼ同じ深さで分布することをPL対エッチ深さ測定により示した。これらの結果は珪素系赤外光源作製に有用な情報を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光中心 ,  光ルミネセンス ,  *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  焼なまし ,  注入量 ,  深さプロフィル ,  赤外光源 ,  半導体材料 ,  発光スペクトル ,  温度依存性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己 ,  イオン注入 ,  熱アニーリング ,  珪素 ,  サブバンドギャップ ,  発光中心