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J-GLOBAL ID:201002220845204546   整理番号:10A0225497

ウェットブラスト加工に関する基礎的研究(単結晶Siウェハの表面加工に及ぼす投射固体粒子径の影響)

A Fundamental Study of Wet Blast Processing (Solid Particle Size Effects on Snrface Processing Properties of Monocrystalline Silicon Wafer)
著者 (3件):
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巻: 76  号: 762  ページ: 422-430  発行年: 2010年02月25日 
JST資料番号: F0045B  ISSN: 0387-5024  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体や電気・電子部品の表面加工では,高精度化,高品質化及び高効率化が要求されている。そこで著者らはウェットブラストによる表面微細加工の可能性を,単結晶Siウェハに対して投射粒子(アルミナ)の大きさを1~8μm(WA#8000~WA#2000)に変えた実験研究を行い,表面の除去率と加工表面粗さRzから考察した。投射粒子質量の増加に伴う表面の除去率とRzの変化挙動は粒子径によって異なること,また両者の粒子径の増大に対する増加の程度はある粒子径(本実験ではWA#6000とWA#4000粒子の間)で急増することを明らかにし,粒子の衝突による表面の除去メカニズムの違いによることを示した。さらに,投射粒子質量に対する加工深さとRzの測定から,加工深さとその加工表面でのRzの関係を導き,WA#8000粒子を用いると深さ1μmでRz0.07μmの表面加工が実現できることを示した。(著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (18件):
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