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J-GLOBAL ID：201002220892062598   整理番号：10A0213412

窒素希釈水素化非晶質炭素(n型a-C:H)薄膜の特性とn型a-C:H/p型結晶シリコンヘテロ接合ダイオードの実現

Properties of nitrogen diluted hydrogenated amorphous carbon (n-type a-C:H) films and their realization in n-type a-C:H/p-type crystalline silicon heterojunction diodes

著者 (4件)： KUMAR Sushil (Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND) ,  DWIVEDI Neeraj (Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND) ,  RAUTHAN C.m.s. (Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND) ,  PANWAR O.s. (Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 84  号： 7  ページ： 882-889  発行年： 2010年03月04日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素結合した水素化非晶質炭素(a-C:N:H)を,C₂H₂とN₂ガス混合物を用いた非対称rf PECVDシステムにおいて成長させた。堆積率,応力,硬度,光学バンドギャップ,屈折率,および電気特性を,自己バイアスの関数として研究した。また,これらの薄膜のミクロ構造は,レーザラマンのテクニックを使用することで研究した。最終的に,窒素希釈a-C:H薄膜を,n型a-C:H/p型結晶シリコンヘテロ接合ダイオードにおけるn型半導体として実現した。また,電流-電圧(I-V)と容量-電圧(C-V)特性を,自己バイアスの関数として,これらのヘテロ接合ダイオードに対して研究した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  水素化 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ヘテロ接合 ,  *ダイオード ,  P型半導体 ,  *プラズマCVD ,  硬度 ,  残留応力 ,  光学ギャップ ,  屈折率 ,  微細構造 ,  Ramanスペクトル ,  *N型半導体 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *アモルファスカーボン
準シソーラス用語： *非晶質炭素

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒素 ,  希釈 ,  水素化 ,  非晶質炭素 ,  薄膜 ,  結晶シリコン ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード