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J-GLOBAL ID:201002221308975800   整理番号:10A1753633

窒素含有オリゴアセンに基づく両極性薄膜トランジスタからの高い均衡正孔および電子移動度

High and Balanced Hole and Electron Mobilities from Ambipolar Thin-Film Transistors Based on Nitrogen-Containing Oligoacences
著者 (9件):
資料名:
巻: 132  号: 46  ページ: 16349-16351  発行年: 2010年11月24日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オリゴアセンの窒素原子によるC-H部分の置換に基づく高性能で両極性のアセン基盤磁場効果トランジスタ(FET)材料の設計戦略を報告した。2,3-ピリジンジカルボアルデヒドと1,4-シクロヘキサンジオンとのアルドール縮合反応または2,3-ビス(ジブロモメチル)ピリジンと5,6,7,8-テトラフルオロ-1,4-アントラキノンのDiels-Alder反応と続く還元を経て二つの有機半導体6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)アントラジピリジンと8,9,10,11-テトラフルオロ-6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)-1-アザペンタセンを合成した。両化合物は高く均衡な正孔と電子移動度を示し,それぞれ前者で0.11と0.15cm2/V・sのμhとμe,後者で0.08および0.09cm2/V・sのμhとμeだった。
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分類 (2件):
分類
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ピリジンのその他の縮合誘導体  ,  有機化合物の電気伝導 
物質索引 (2件):
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