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J-GLOBAL ID：201002222459005795   整理番号：10A1101961

フッ化カルシウム緩衝層を用いた単結晶ダイヤモンド上PZT薄膜

Pb(Zr_0.52,Ti_0.48)O₃ thin film on single crystal diamond using calcium fluoride as a buffer layer

著者 (3件)： LIAO Meiyong (National Inst. for Materials Sci. (NIMS)) ,  IMURA Masataka (National Inst. for Materials Sci. (NIMS)) ,  KOIDE Yasuo (National Inst. for Materials Sci. (NIMS))
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15A-ND-5  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： フッ化カルシウム ,  単結晶 ,  薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  バッファ層 ,  素子構造 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  ヒステリシス ,  *圧電材料
準シソーラス用語： ダイヤモンド膜 ,  MPIS構造 ,  *圧電薄膜

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： フッ化カルシウム ,  緩衝層 ,  単結晶ダイヤモンド ,  PZT ,  薄膜