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J-GLOBAL ID：201002222930538510   整理番号：10A0346703

気相-固相工程による酸化タングステンナノワイヤの選択成長

Selective growth of tungsten oxide nanowires via a vapor-solid process

著者 (5件)： ZHANG Haitao (Dep. of Mechanical Engineering and Engineering Sci., The Univ. of North Carolina at Charlotte, Charlotte, North ...) ,  XU Terry T. (Dep. of Mechanical Engineering and Engineering Sci., The Univ. of North Carolina at Charlotte, Charlotte, North ...) ,  TANG Mingzheng (Dep. of Physics and Optical Sci., The Univ. of North Carolina at Charlotte, Charlotte, North Carolina 28223) ,  HER Tsing-hua (Dep. of Physics and Optical Sci., The Univ. of North Carolina at Charlotte, Charlotte, North Carolina 28223) ,  LI Shu-you (NUANCE Center, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 2  ページ： 310  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 触媒を全く用いずに気相-固相(VS)工程を用いて酸化タングステンナノワイヤの選択成長を実現した。選択成長させるために低蒸気過飽和を用いてVS工程時の酸化タングステンの自発核形成を抑制し,パターン形成したタングステン被覆を導入して種核を与え,酸化タングステン回路網の成長を促進し成長部位を制御した。単純なパターン形成法を用いてパターン形成した酸化タングステンナノワイヤ配列を作製した。ソース加熱温度と成長温度がナノワイヤ成長に及ぼす影響を調べ,酸化タングステン蒸着の形態が両温度で制御した蒸気過飽和に敏感であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *ナノワイヤ ,  *選択成長 ,  結晶成長 ,  気相成長 ,  固相反応 ,  過飽和 ,  パターン形成 ,  薄膜成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 気相 ,  固相 ,  酸化タングステン ,  ナノワイヤ ,  選択成長