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J-GLOBAL ID：201002223453900039   整理番号：10A0382105

ケイ素ナノワイヤ太陽電池における光トラッピング

Light Trapping in Silicon Nanowire Solar Cells

著者 (2件)： GARNETT Erik (Univ. California, California) ,  YANG Peidong (Univ. California, California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 3  ページ： 1082-1087  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリカビーズの自己組織化膜をマスクとするケイ素基板の反応性イオンエッチングによりナノワイヤアレイ表面構造を作製し,ビーズをHF溶出,ドーピングによりp-n接合を形成してケイ素ナノワイヤ太陽電池を作製した。開放回路起電力0.519V,短絡電流16.82nm/cm²,エネルギー変換効率5.3%を得た。走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡により表面構造を調べた。理論計算から光トラッピング経路長が73倍まで増強される結果を得た。実験による増強効果は62倍であった。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *太陽電池 ,  *表面構造 ,  ナノ構造 ,  リソグラフィー ,  ウエハ【IC】 ,  RIE【エッチング】 ,  PN接合 ,  光起電力 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー変換効率 ,  *光吸収 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *ケイ素ナノワイヤ ,  ケイ素基板 ,  コロイドリソグラフィー ,  シリカビーズ ,  ナノワイヤアレイ ,  反応性イオンエッチング

分類 (3件)： 光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  (BD03020B) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (3件)： ケイ素ナノワイヤ ,  太陽電池 ,  光トラッピング