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J-GLOBAL ID：201002223819774570   整理番号：10A0388366

有機強誘電体と酸化物半導体とを200°C以下で用いる完全透明性不揮発性メモリ薄膜トランジスタ

Fully Transparent Non-volatile Memory Thin-Film Transistors Using an Organic Ferroelectric and Oxide Semiconductor Below 200 °C

著者 (8件)： YOON Sung-Min (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  YANG Shinhyuk (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  BYUN Chunwon (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  PARK Sang-Hee K. (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  CHO Doo-Hee (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  JUNG Soon-Won (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  KWON Oh-Sang (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  HWANG Chi-Sun (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 6  ページ： 921-926  発行年： 2010年03月24日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機強誘電体と酸化物半導体層から成るハイブリッド型ゲートスタックをもつ完全透明性不揮発性メモリ薄膜トランジスタ(T-MTFT)を初めて報告した。ITO/P(VDF-TrFE)/Al₂O₃/AZTO/ガラスから成る構成のT-MTFTを200°C以下での蒸着や被覆を組合わせた工程によって製作した。半導体パラメータ分析装置を用い,暗箱中,室温で電気特性を測定し,パルス信号によるプログラミング動作及び保有挙動は波形発生器などで評価した。透過率は550nm波長で90%以上であり,ガラス基板のETRIのロゴがはっきり見える写真を示した。T-MTFTのメモリ窓は-10~10Vのゲート電圧掃引で7.5Vであること,電界効果移動度,閾値以下揺れ,オン/オフ比,及びゲート漏れ電流はそれぞれ32.2cm²/Vs,0.45V/decade,10⁸,及び10^-13Aであることなどが分かった。ここに,ITO:酸化インジウムスズ,P(VDF-TrFE):ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン),AZTO:Al-Zn-Sn-Oである。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *透明材料 ,  *薄膜トランジスタ ,  ガラス ,  基板 ,  *化合物半導体 ,  酸化物 ,  アルミニウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  スズ化合物 ,  酸化アルミニウム ,  共重合体 ,  ポリフッ化ビニリデン ,  *強誘電体 ,  酸化インジウムスズ ,  加工温度 ,  キャリア移動度 ,  揺れ ,  比率 ,  漏れ電流 ,  記銘
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ゲート漏れ電流 ,  記憶保持 ,  *酸化物半導体 ,  *電界効果移動度

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機強誘電体 ,  酸化物半導体 ,  透明性 ,  不揮発性メモリ ,  薄膜トランジスタ