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J-GLOBAL ID：201002224161208939   整理番号：10A0523644

改良した深い反応性イオンエッチングを用いたシリコン上でのナノグラス(nanograss)およびナノ構造形成

Nanograss and nanostructure formation on silicon using a modified deep reactive ion etching

著者 (4件)： MEHRAN M. (Nano-Electronic and Thin Film Lab, Nano-Electronic Center of Excellence, School of Electrical and Computer ...) ,  MOHAJERZADEH S. (Nano-Electronic and Thin Film Lab, Nano-Electronic Center of Excellence, School of Electrical and Computer ...) ,  SANAEE Z. (Nano-Electronic and Thin Film Lab, Nano-Electronic Center of Excellence, School of Electrical and Computer ...) ,  ABDI Y. (Nano-Electronic and Thin Film Lab, Nano-Electronic Center of Excellence, School of Electrical and Computer ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 20  ページ： 203101  発行年： 2010年05月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンのナノグラス(nanograss)およびナノ構造を,シリコン基板の平面表面および垂直表面上に,改良した深い反応性イオンエッチング(RIE)法を用いて実現した。このエッチング処理は,シーケンシャルな不動態化とエッチングサイクルとに基づいており,無グラス高アスペクト比特徴とグラスに満ちた表面とを達成するように調節できる。櫛形容量加速度計の垂直配置平行フィンガへのナノ構造の組み込みは,全体容量を0.45pFから30pFに増大させた。100nm以下の特徴を有する垂直構造を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  *表面構造 ,  不動態化 ,  アスペクト比 ,  加速度計 ,  電極 ,  静電容量
準シソーラス用語： ナノグラス ,  櫛形電極 ,  高アスペクト比 ,  反応性イオンエッチング

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性イオンエッチング ,  シリコン ,  グラス ,  構造形成