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J-GLOBAL ID：201002224634946924   整理番号：10A1012738

Coulombブロッケード温度測定によるex situトンネル接合プロセス技術

Ex situ tunnel junction process technique characterized by Coulomb blockade thermometry

著者 (6件)： PRUNNILA M. (VTT Technical Res. Centre of Finland, P.O. Box 1000, FI-02044 VTT, Espoo, FIN) ,  MESCHKE M. (Low Temperature Lab., Aalto Univ., P.O. Box 13500, FI-00076 AALTO, FIN) ,  GUNNARSSON D. (VTT Technical Res. Centre of Finland, P.O. Box 1000, FI-02044 VTT, Espoo, FIN) ,  ENOUZ-VEDRENNE S. (Thales Res. and Technol., Campus de Polytechnique, Palaiseau 92167, FRA) ,  KIVIOJA J. M. (VTT Technical Res. Centre of Finland, P.O. Box 1000, FI-02044 VTT, Espoo, FIN) ,  PEKOLA J. P. (Low Temperature Lab., Aalto Univ., P.O. Box 13500, FI-00076 AALTO, FIN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 5  ページ： 1026  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボトムアルミニウム電極を覆う絶縁層を貫通するプラズマエッチ処理ビアがトンネル接合領域を定義するウェハスケールのトンネル接合作製法を調べた。ボトム電極の酸化によって接合領域内にex situトンネル障壁が形成された。150mmウェハにわたる室温抵抗マッピングから,トンネル接合抵抗の局所的な差異が得られ,その値が7.5%以下で平均が1.3%であることが分かった。N接合からなる4アレイに接続した1個のトンネル接合を持つ素子のサブ1K測定によりその差異をさらに調べた。単一接合およびアレイでCoulombブロッケード温度測定モードにおいて,微分コンダクタンスを測定した。実験データを理論モデルにフィットして,2N+1接合アレイに対して局所トンネル接合抵抗差が約5%であることを見出した。この値は,本実験設定の精度によって定義される検出可能な最小抵抗差のオーダーである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Coulombブロッケード ,  *トンネル接合 ,  写像 ,  コンダクタンス ,  電気抵抗 ,  *温度測定 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体
準シソーラス用語： マッピング ,  微分コンダクタンス ,  シリコン基板

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Coulombブロッケード ,  温度測定 ,  トンネル ,  接合プロセス