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J-GLOBAL ID：201002225653288519   整理番号：10A0904114

シラン及びジシランから低圧化学蒸着によって堆積されたシリコン薄膜の性質に及ぼす堆積及び結晶化速度の影響

Influences of deposition and crystallization kinetics on the properties of silicon films deposited by low-pressure chemical vapour deposition from silane and disilane

著者 (3件)： TEMPLE-BOYER Pierre ,  ROUSSET B. ,  SCHEID E.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 23  ページ： 6897-6903  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,低圧化学蒸着(LPCVD)で得られたシリコン薄膜の性質を検討した。シリコン薄膜の性質に及ぼす堆積及び結晶化速度の影響を理解するために,異なる堆積温度で特性記述される2つのガス源,すなわちジシランSi₂H₆(420-520°C)とシランSiH₄(520-750°C)を研究した。アモルファス,半結晶化,多結晶シリコンの堆積を「体積ランダム」と「表面柱状」結晶化現象に関連付け,屈折率とポリシリコン体積分率の間の直線関係を強調し,プロセス条件による複雑な残留応力依存性を明らかにした。最後に,主要パラメータとして堆積速度と結晶化速度の比V_d/V_cを導入することによって,選択されたガス源,シラン又はジシラン,に従ってLPCVDシリコン薄膜の様々な性質(微細構造,ポリシリコン体積分率,屈折率,残留応力)を完全に特性記述するために,様々な堆積特性と関連する半経験的関係を定義した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *LPCVD ,  ジシラン ,  シラン ,  非晶質半導体 ,  ポリシリコン ,  *屈折率 ,  光学定数 ,  *残留応力 ,  *結晶化 ,  晶析速度
準シソーラス用語： 結晶化速度

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： シラン ,  ジシラン ,  低圧化学蒸着 ,  堆積 ,  シリコン薄膜 ,  性質 ,  結晶化速度