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J-GLOBAL ID：201002225848623649   整理番号：10A0492391

非冷却赤外線検出器への応用が期待されるPECVD成長させた多孔質SiO₂薄膜の特性評価

Characterization of PECVD grown porous SiO₂ thin films with potential application in an uncooled infrared detector

著者 (4件)： YANG Pei-zhi (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  LIU Li-ming (Kunming Inst. of Physics, Kunming, CHN) ,  MO Jing-hui (Kunming Inst. of Physics, Kunming, CHN) ,  YANG Wen (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045017,1-4  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非冷却赤外線検出への応用が期待されるプラズマ支援化学蒸着(PECVD)によって成長させた多孔質SiO₂薄膜の特性を評価した結果を報告する。多孔質のSiO₂膜を成長条件が最適化されたPECVD法によって成長させた。この場合の堆積速度は1nms^-1であった。原子間力顕微鏡観察,エネルギー分散X線分光分析,走査電子顕微鏡観察,X線光電子分光法および偏光解析測定の結果から,堆積した薄膜は緩やかな多孔質構造で,多孔度は41.1%であることが分かった。素子の作製技術との互換性の良さから,このような多孔質SiO₂膜は非冷却赤外線検出器の断熱層として非常に有用であると思われる。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  プラズマCVD ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *多孔質体 ,  *二酸化ケイ素 ,  *誘電体薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  偏光解析法 ,  空隙率 ,  断熱材料
準シソーラス用語： EDS【分光分析】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 赤外線検出器 ,  応用 ,  期待 ,  PECVD ,  成長 ,  薄膜 ,  特性評価