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J-GLOBAL ID：201002225999782650   整理番号：10A0492376

ゲルマニウム中のシリコンの拡散に及ぼす酸素の影響:密度汎関数理論による計算

Impact of oxygen on the diffusion of silicon in germanium: density functional theory calculations

著者 (2件)： CHRONEOS Alexander (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  BRACHT Hartmut (Univ. Muenster, Muenster, DEU)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045002,1-4  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム中のシリコンの拡散に及ぼす酸素の影響を密度汎関数理論(DFT)によって計算した結果を報告する。DFTに基づく計算によって,Ge中におけるO,Siおよび空格子点(V)の相互作用を計算した。計算結果から,Ge中におけるVの介在するSiの移動はVO対の形成を考慮すると,Oの存在によって大幅に抑制されることが分かった。VO対が形成されると,移動度の低いSi_xO_yV_zクラスタの形成が促進されるからである。Si_xO_yV_zクラスタの束縛エネルギーが大きいので,Siは自由に移動することができず,Siの拡散に対して大きな効果を持つものと考えられる。更に,格子間酸素の役割も明らかにする必要があり,Geを中心とするクラスタの形成の時間変化を観測するためにモンテカルロシミュレーションを行う必要がある。最後に,Ge中におけるSiの拡散に関する詳細を理解するには,歪みの効果も研究する必要がある。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *固体内拡散 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  酸素 ,  不純物 ,  密度汎関数法 ,  空格子点 ,  複合欠陥 ,  クラスタ ,  結合エネルギー ,  格子間原子 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 束縛エネルギー ,  光子歪

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルマニウム ,  シリコン ,  拡散 ,  酸素 ,  密度汎関数理論 ,  計算