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J-GLOBAL ID：201002226924387220   整理番号：10A0826331

因子分析法による反射電子損失スペクトルから決定されたSiに関するエネルギー損失関数

Energy loss function for Si determined from reflection electron energy loss spectra with factor analysis method

著者 (4件)： JIN Hua (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIKAWA Hideki (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TANUMA Shigeo (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TOUGAARD Sven (Univ. Southern Denmark, Odense, DNK)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 42  号： 6/7  ページ： 1076-1081  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30°の入射角,15から75°の放出角と500から4500eVの1次ビームエネルギーの条件でSi(100)の反射電子エネルギー損失スペクトル(REELS)を系統的に測定し,これらのスペクトルから対応するSiのλ(E)K(ΔE),すなわち非弾性的平均自由行程(IMFP)λ(E)と微分逆非弾性的平均自由行程(DIIMFP)または非弾性散乱断面積K(ΔE)の積を得た。ここで,λ(E)はエネルギーEのときの電子のIMFP,K(ΔE)は,運動エネルギーEの電子が固体中を移動する際に単位エネルギー損失と単位通過長さ当たりΔEのエネルギーを失う確率と定義される。次に,因子分析を応用してλ(E)K(ΔE)分布から表面-成分とバルク-損失成分を分離した。最後に,抽出されたバルク-損失成分から実験的なエネルギー損失関数(ELF)を誘導した。この手法によって他の材料のREELS測定からもバルクのエネルギー損失関数の決定が出来る。

シソーラス用語： *因子分析 ,  *エネルギー損失 ,  *電子エネルギー損失分光法 ,  平均自由行程 ,  非弾性散乱 ,  運動エネルギー ,  *ケイ素

分類 (1件)： 電子分光法  (BK01050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 因子分析法 ,  電子 ,  損失 ,  スペクトル ,  Si ,  エネルギー ,  損失関数