文献

J-GLOBAL ID：201002226933667767   整理番号：10A1459442

Al₂O₃ゲート誘電体を有するエンハンスメントモードGaAs電界効果トランジスタにおけるHall移動度測定

Hall mobility measurements in enhancement-mode GaAs field-effect transistors with Al₂O₃ gate dielectric

著者 (7件)： SHAHRJERDI D. (Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  NAH J. (Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  HEKMATSHOAR B. (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  AKYOL T. (Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  RAMON M. (Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  TUTUC E. (Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  BANERJEE S. K. (Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 21  ページ： 213506  発行年： 2010年11月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートHallバーを用いた,エンハンスメントモードnチャネルGaAsトランジスタにおける反転電荷密度及び電子移動度の直接測定を報告した。Hallデータは,大きな電荷トラッピングによるチャネルにおける低減された可動性電荷密度の存在を明らかにした。ピーク電子移動度が,III-V材料における電子の固有高キャリア移動度と一致して,比較的高い(~2140cm²/Vs)ことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ヒ化ガリウム ,  *酸化アルミニウム ,  酸化膜 ,  *Hall移動度 ,  キャリア移動度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  ゲート誘電体 ,  電荷密度 ,  電子移動度 ,  電荷トラップ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  エンハンスメントモード ,  GaAs ,  電界効果トランジスタ ,  Hall移動度