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J-GLOBAL ID：201002226967513009   整理番号：10A0847851

原子的に鋭い高密度タングステンナノチップ配列の作製と電界放出の研究

Fabrication and field emission study of atomically sharp high-density tungsten nanotip arrays

著者 (8件)： SUN Ke (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  LEE Jae Young (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  LI Biyun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  LIU Wei (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  MIAO Congqin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  XIE Ya-hong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  WEI Xinyu (Dep. of Polymer Sci. and Engineering, Univ. of Massachusetts-Amherst, Amherst, Massachusetts 01003, USA) ,  RUSSELL Thomas P. (Dep. of Polymer Sci. and Engineering, Univ. of Massachusetts-Amherst, Amherst, Massachusetts 01003, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 036102  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン形成したSiO₂テンプレートを用いたナノ鋳造により,原子的に鋭い高密度タングステンナノチップ配列を作製した。作製は主にトップダウン工程を含み,今日のSi技術と完全に両立する。得られたタングステンナノチップ配列は原子的に鋭い先端部(曲率半径≦1nm),高い放出体密度(~5×10¹⁰cm^-2),完全なチップ整列,電場増強因子が3334でターンオン電場が2.1V/μmmの優れた電界放出特性を示した。独自の製造プロセスフローにより,高さが極めて均一なWナノチップが得られ,サブミクロンの陰極-陽極間隔を可能にした。これは真空度の要件を大きく緩和し,低真空動作を可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *タングステン ,  *チップ ,  鋳造 ,  *ナノ構造 ,  *電界放出 ,  因子 ,  電場 ,  マイクロマシニング ,  基板 ,  型 ,  二酸化ケイ素 ,  電流密度
準シソーラス用語： *ナノチップ ,  ナノ鋳造 ,  電場増強因子 ,  ケイ素基板 ,  テンプレート【型】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  タングステン ,  ナノチップ ,  作製 ,  電界放出 ,  研究