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J-GLOBAL ID：201002227112490733   整理番号：10A0852416

ナノインプリントリソグラフィースタンプ作製用の干渉リソグラフィーにおけるアンダカット現象の除去

Eliminating the undercut phenomenon in interference lithography for the fabrication of nano-imprint lithography stamp

著者 (4件)： JANG Hwan Soo (Div. of Nano & Bio Technol., Daegu-Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Dalseo-gu, Daegu 704-230, KOR) ,  KIM Gee Hong (Nano-Mechanical Systems Res. Div., Korea Inst. of Machinery and Materials, 171 Jang-dong Yu-song Gu, Daejeon 305-343 ...) ,  LEE Jaejong (Nano-Mechanical Systems Res. Div., Korea Inst. of Machinery and Materials, 171 Jang-dong Yu-song Gu, Daejeon 305-343 ...) ,  CHOI Kee Bong (Nano-Mechanical Systems Res. Div., Korea Inst. of Machinery and Materials, 171 Jang-dong Yu-song Gu, Daejeon 305-343 ...)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 10  号： 6  ページ： 1436-1441  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 干渉リソグラフィーを用いて基板上に周期的ナノパターンを作製し,フォトレジストのアンダカットプロファイルを排除する容易な方法を示した。二ビームが合流して干渉図を作るときに生成される三次元の強度分布故に,フォトレジストパターンの側壁上にアンダカット現象が頻繁に生じる。これは入射ビームと基板表面から反射したビームの垂直干渉により主に生じ,一般に裏面反射防止膜(BARC)材料を用いてビームの基板上反射を防止する。BARC材料を用いずに研究者が明確なパターンを作製し得る単純な後処理を提案した。この処理法を開発し,ナノインプリントリソグラフィー用のスタンプを安価に作製し,熱レジストを通してスタンプ上にパターンを直接移動するナノインプリント工程の結果を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  アンダカット ,  フォトレジスト ,  型 ,  *パターン形成 ,  反射防止膜
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  *干渉リソグラフィー ,  ナノパターン ,  裏面反射防止膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 作製 ,  干渉リソグラフィー ,  アンダカット ,  現象