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J-GLOBAL ID：201002227139301878   整理番号：10A0464858

EUPSによるTiN膜の仕事関数の膜厚及び下地high-k膜依存の評価

著者 (6件)： 石塚知明 (産業技術総合研) ,  大塚照久 (産業技術総合研) ,  葛西彪 (産業技術総合研) ,  小川有人 (日立国際電気) ,  堀川剛 (産業技術総合研) ,  富江敏尚 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19P-C-8  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光電子スペクトル ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *仕事関数 ,  下層 ,  イオン化ポテンシャル ,  金属薄膜 ,  極端紫外線 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  誘電材料 ,  *MOS構造 ,  レーザプラズマ
準シソーラス用語： *TiN ,  界面ポテンシャル ,  膜厚依存性 ,  *高k材料

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  電子放出一般  (BM09010H) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN膜 ,  仕事関数 ,  膜厚 ,  下地 ,  high-k膜 ,  評価