文献

J-GLOBAL ID：201002227233109484   整理番号：10A0525319

大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用

Microsecond Melting and Crystallization of Silicon Films Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication

著者 (1件)： 東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 15(SDM2010 1-16)  ページ： 39-44  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気圧熱プラズマジェットを用いたマイクロ秒熱処理によりアモルファスシリコン(a-Si)膜を溶融結晶化させることによって,横方向に~60μm成長した大粒径シリコンを形成した。プラズマ噴出口径の縮小とアークギャップの増大により従来の6倍以上高パワー密度化(~53kW/cm²)したマイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を用いることで,4000mm/sの超高速で溶融層を走査し,これにより生じる温度勾配を利用してマイクロ秒時間領域において長距離横方向結晶成長を実現した。実時間反射率測定から,a-Siは初めに固相結晶化し,その後,幅~483μm,長さ~990μmの溶融領域移動に伴う溶融・再結晶化が生じていることが明らかになった。ラマン散乱分光法により評価した結晶化率はほぼ100%であり,XRDスペクトルから{111}ピークが確認された。作製したシリコン膜をチャネルに用いたn型薄膜トランジスタ(TFT)は電界効果移動度350cm²V^-1s^-1の高性能を示し,μ-TPJ結晶化技術の有効性を実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマジェット ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  アモルファスシリコン ,  熱処理 ,  RTA【熱処理】 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： シリコン ,  *シリコン薄膜 ,  高速熱処理

分類 (3件)： 電磁流体力学  (BC05000Q) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 大気圧 ,  プラズマジェット ,  シリコン膜 ,  マイクロ秒 ,  溶融 ,  結晶化 ,  高性能 ,  TFT ,  作製 ,  応用