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J-GLOBAL ID：201002227339382937   整理番号：10A1119015

RTS特性のトラップエネルギー準位の統計的評価

Statistical Evaluation for Trap Energy Level of RTS Characteristics

著者 (5件)： TERAMOTO A. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJISAWA T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ABE K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWA S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010  ページ： 77-78  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 131,072個のn-MOSと163,480個のp-MOSトランジスタを有するアレイ試験パターンを用いて,ランダム電信信号(RTS)雑音を生じるトラップのエネルギー分布について調べた。n-MOSトランジスタの場合,サブしきい値領域近傍のRTSに対する活性トラップの分布は,伝導帯中電子エネルギーによるのでなく,ゲート酸化膜中トラップ分布により決まり,多数のトラップが伝導帯近傍に位置すると考えられる。トラップのエネルギー分布と検出トラップ数を除き,p-MOSトランジスタの現象は,n-MOSトランジスタと同一であった。p-MOS中トラップ数はn-MOS中より少数であった。伝導帯端と価電子帯端間でそのエネルギー分布の異なる傾向を示した。これらの統計的分析とその結果は,RTS雑音抑制のための回路設計とプロセス開発用に非常に有用である。

シソーラス用語： エネルギー分布 ,  *不規則雑音 ,  *MOSFET ,  MOS構造 ,  NMOS構造 ,  *伝導バンド ,  *回路設計 ,  統計解析 ,  酸化膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  *電子捕獲
準シソーラス用語： RTS ,  PMOS構造 ,  ゲート酸化膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トラップ ,  エネルギー準位 ,  統計 ,  評価