文献

J-GLOBAL ID：201002227384028443   整理番号：10A0322179

InGaN発光ダイオードにおけるドループ:微分キャリア寿命分析

Droop in InGaN light-emitting diodes: A differential carrier lifetime analysis

著者 (2件)： DAVID Aurelien (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, California 95131, USA) ,  GRUNDMANN Michael J. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, California 95131, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 103504  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN構造における内部量子効率を研究するために,変化するエレクトロルミネセンス注入条件下でのInGaN/GaN二重ヘテロ構造発光ダイオードの微分キャリア寿命を測定した。この測定を内部量子効率測定と結びつけることにより,キャリア密度,及び再結合過程に関するどんな過程もなさずに,寿命への放射性及び非放射性寄与を決定した。ドループが,電流による非放射性寿命の短縮により引き起こされることを見出した。観測された,電流による放射性及び非放射性寿命の短縮が,位相空間充填を含むABCモデルと非常に良く一致することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *キャリア寿命 ,  キャリア密度 ,  放射寿命
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  *内部量子効率 ,  非放射性寿命 ,  放射性寿命

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  ループ ,  微分 ,  キャリア寿命 ,  分析