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J-GLOBAL ID：201002227438363383   整理番号：10A0864276

優れた電界放出体および超高量子効率光検出体のための単結晶CdSナノベルト

Single-Crystalline CdS Nanobelts for Excellent Field-Emitters and Ultrahigh Quantum-Efficiency Photodetectors

著者 (10件)： LI Liang (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WU Peicai (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FANG Xiaosheng (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  ZHAI Tianyou (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  DAI Lun (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LIAO Meiyong (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  KOIDE Yasuo (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WANG Hongqiang (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  BANDO Yoshio (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  GOLBERG Dmitri (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 29  ページ： 3161-3165  発行年： 2010年08月03日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気-液-固プロセスによって単結晶CdSナノベルトをAu超薄膜被覆シリコン基板上に合成し,X線回折,電界放出型走査電子顕微鏡法および高分解能透過型電子顕微鏡法によってキャラクタリゼーションした。単結晶CdSナノベルトは電流密度10μAcm^-2で3.7Vμm^-1のターンオン電場,電流密度1mAcm^-2で9.3Vμm^-1のしきい値電場および1298の増強因子を示した。CdSナノベルトを用いて光検出デバイスを組立て,優れた性能を確認した。

シソーラス用語： *電界放出 ,  *硫化カドミウム ,  *ナノ構造 ,  *光検出 ,  物理蒸着 ,  単結晶
準シソーラス用語： *ナノベルト

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界放出 ,  量子効率 ,  検出体 ,  単結晶 ,  CdS ,  ナノベルト