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J-GLOBAL ID:201002227563378910   整理番号:10A0796639

3Dインターコネクトにおけるスルーシリコンビアの熱応力起因剥離

Thermal Stress Induced Delamination of Through Silicon Vias in 3-D Interconnects
著者 (7件):
資料名:
巻: 60th Vol.1  ページ: 40-45  発行年: 2010年 
JST資料番号: H0393A  ISSN: 0569-5503  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スルーシリコンビア(TSVs)を導入することにより,3Dインターコネクトの導電材料とSiマトリクス間の熱膨張係数の違いからTSV内で熱応力が発生し,導電材料の剥離を生じることがある。本稿では,有限要素法(FEA)を使ってTSV構造における熱応力起因剥離のメカニズムを調べ,故障メカニズムを明らかにした。そして,この結果から材料,プロセスおよび構造のTSV構造信頼性に対する影響を示した。TSV直径を減少させるとクラックの駆動力が低くなることが分かった。さらに,環状TSVとTSV上の金属パッドは熱サイクル中の剥離クラック駆動力を低減できることを示した。TSV材料としてCu,Ni,Al,Wを比較した結果,Wが最もクラック駆動力が小さかった。これはWがSiとの熱膨張係数差が小さいためである。
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分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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