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J-GLOBAL ID：201002228181165417   整理番号：10A1012558

SiGe/Si/SiGe量子井戸での二次電子気体の移動度と金属-絶縁体転移

Mobility and metal-insulator transition of the two-dimensional electron gas in SiGe/Si/SiGe quantum wells

著者 (1件)： GOLD A. (Centre d’Elaboration de Materiaux et d’Etudes Structurales (CEMES-CNRS), 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 6  ページ： 063710  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe/Si/SiGe量子井戸で実現した相互作用する二次電子気体の移動度を考察した。ゼロ温度のために,遠隔不純物散乱に対する電子密度の関数として移動度を計算し,そして,交換-相互関係効果と多散乱効果を考慮した。多散乱効果は,低電子密度で金属-絶縁体転移を引き起こす。計算は,金属-絶縁体転移の近くの電子密度を持つ遠隔ドープSiGe/Si/SiGe量子井戸で得た実験結果と良く一致した。遠隔ドープ距離の関数として金属-絶縁体転移の臨界密度を議論し,若干の予測を行った。単粒子緩和時間とスピン分極効果も考慮した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  二次元 ,  金属 ,  電子ガス ,  *量子井戸 ,  不純物 ,  散乱 ,  移動度 ,  金属-絶縁体転移 ,  スピン分極 ,  緩和現象

分類 (1件)： 電気物性一般  (BM03010R)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  Si ,  量子井戸 ,  電子気体 ,  移動度 ,  金属-絶縁体転移