文献

J-GLOBAL ID：201002228198604090   整理番号：10A0664144

双方向2軸静電MEMS位置決めシステム

A Bidirectional Two-Axis Electrostatic MEMS Positioning System

著者 (4件)： SIVAKUMAR Ganapathy (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  MATTHEWS James (Angelo State Univ., TX, USA) ,  SUBHANI Mahmood (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  DALLAS Tim (Texas Tech Univ., TX, USA)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 19  号： 3  ページ： 451-457  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2軸面内双方向微小電子機械システム(MEMS)型位置決めシステムを設計し,Sandia National LaboratoriesのMEMSファウンダリプロセスのSUMMiT V作製技術により作製することに成功した。このプロセスは,5層ポリシリコンと4酸化シリコン犠牲層の作製からなる。ステージを動かすのに用いる双方向2軸MEMS型位置決めシステムの設計,作製と試験について報告した。その位置決めアセンブリーは,ピンとスロット型アーム配置からなり,ピンはスロット型アーム間に拘束され,両軸上同一静電型トランジスタ駆動により,位置決めを得た。その静電駆動は,弾力機構に基づく距離増倍器とインタフェースした櫛形駆動からなる。この位置決めシステムは,作動用距離増倍器配置と直交配置櫛形駆動の2セットを用いた。新規のピンとスロット配置を用いて,独立した位置決めを可能にした。SUMMiT Vの独特なピン接続切断プロセスを用いて,このピンを作製した。作製した設計システムの性能を試験し,解析するため,専用の光学特性評価装置を構築した。その素子は,サブマイクロメートルのX軸とY軸間クロストークと再現性でx軸とY軸への約30μmの変位を示した。この変位は,印加電圧と2次方程式関係を示した。

シソーラス用語： システム ,  *位置決め ,  *MEMS ,  櫛形 ,  *アクチュエータ ,  ポリシリコン ,  酸化ケイ素 ,  層 ,  片持梁 ,  クロストーク
準シソーラス用語： カンチレバー ,  位置決めシステム ,  犠牲層 ,  静電アクチュエータ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 双方向 ,  2軸 ,  MEMS ,  位置決めシステム