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J-GLOBAL ID：201002228478849498   整理番号：10A0794029

MEMSパッケージングのための3次元エアギャップ構造

Three Dimensional Air-Gap Structures for MEMS Packaging

著者 (4件)： SAHA Rajarshi (Georgia Inst. Technol., GA) ,  FRITZ Nathan (Georgia Inst. Technol., GA) ,  BIDSTRUP-ALLEN Sue Ann (Georgia Inst. Technol., GA) ,  KOHL Paul A. (Georgia Inst. Technol., GA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.2  ページ： 811-815  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エアギャップ構造は,マイクロエレクトロニクス,特にMEMS,への応用において興味を持たれている。本稿では,犠牲ポリマであるポリプロピレンカーボネート(PPC),オーバーコート材料であるポリヘドラルオリゴメリックシルスセスキオキサン(POSS),金属,の革新的な3材料系を,シリコンウエハ上への様々な大きさのクリーン空洞の形成に応用したことを報告する。処理するプロトコルの最適化により,容量性共振器のウエハレベルパッケージングに成功した。空洞の強度を,金属層の膜厚を厚くすること,高強度の金属を使うことで効果的に改善できた。さらに,金属のPOSSへの密着性を標準のテープテストで評価し,アニールを行うことで金属内の残留応力を低減し,密着性を改善した。

シソーラス用語： 間隙 ,  *MEMS ,  ウエハ【IC】 ,  プロトコル ,  共振器 ,  ICパッケージ ,  密着性 ,  残留応力
準シソーラス用語： ウエハレベルパッケージ ,  ウエハレベルパッケージング ,  *エアギャップ ,  シリコンウエハ ,  *パッケージング ,  ポリプロピレンカーボネート ,  ポリヘドラルオリゴメリックシルスセスキオキサン ,  *三次元構造

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  パッケージング ,  3次元 ,  エアギャップ