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J-GLOBAL ID：201002228511872239   整理番号：10A0508480

PVT法によるSiCポリタイプの同定と調整

Identification and control of SiC polytypes in PVT method

著者 (5件)： LIN Shenghuang (Xi’an Univ. Technol., Xi’an, CHN) ,  CHEN Zhiming (Xi’an Univ. Technol., Xi’an, CHN) ,  LIU Bo (Xi’an Univ. Technol., Xi’an, CHN) ,  LI Lianbi (Xi’an Univ. Technol., Xi’an, CHN) ,  FENG Xianfeng (Xi’an Univ. Technol., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 21  号： 4  ページ： 326-330  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Raman散乱分光法と透過型電子顕微鏡観察により6H-SiCウエハについて研究した。15R-SiCポリタイプ介在物を6H-SiCウエハ内に観察した。この15R-SiCポリタイプ介在物の内包分率は,成長表面とトップ粉体の温度を監視する温度調節を介してコントロールできるし,物理気相輸送(PVT)法における一定インターバルでの坩堝とコイルの相対的位置関係の調整によっても,明らかに低減する。2100°C以下の温度では,15R-SiCポリタイプがそれでもなお依然として6H-SiC結晶内に存在する;この温度が2100~2300°Cに上昇して,坩堝の相対位置が適切であれば,ウエハ全体のなかの6H-SiCポリタイプはほとんど残らなずに消え去る。この実験に用いた誘導加熱方式成長システムについて説明し,得られたウエハのいくつかの興味ある測定結果を報告した。

シソーラス用語： *ポリタイプ ,  Raman散乱 ,  電子顕微鏡観察 ,  水素化 ,  *炭化ケイ素 ,  スペシエーション ,  ウエハ【IC】 ,  誘導加熱 ,  薄膜成長 ,  結晶成長 ,  相組成 ,  *気相成長 ,  包有物 ,  介在物

分類 (3件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： PVT ,  SiC ,  ポリタイプ ,  同定