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J-GLOBAL ID：201002228668232128   整理番号：10A0312661

単層カーボンナノチューブの配向アレイを用いるトランジスタのスケーリング特性

Scaling Properties in Transistors That Use Aligned Arrays of Single-Walled Carbon Nanotubes

著者 (8件)： HO Xinning (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois) ,  YE Lina (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois) ,  ROTKIN Slava V. (Lehigh Univ., Pennsylvania) ,  CAO Qing (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois) ,  UARUNOTAI Sakulsuk (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois) ,  SALAMAT Shuaib (Purdue Univ., Indiana) ,  ALAM Muhammad A. (Purdue Univ., Indiana) ,  ROGERS John A. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 2  ページ： 499-503  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英基板表面に平行に一軸配向成長させた単層カーボンナノチューブのアレイ上にPdまたはAuソース/ドレイン電極を形成し,酸化ハフニウム薄膜(ゲート誘電体),Au/Tiゲート電極を積層してトランジスタを作製した。等価回路にもとづいて,チャネル長,ナノチューブ径,接触抵抗が動作特性におよぼす影響を系統的に調べた。パラジウム電極はオーミック接触を作り,接触抵抗はゲート電圧に依存せず,ゲートによるチャネル抵抗が支配的であるのに対し,金電極では接触抵抗の影響が顕著である。既報の単一単層カーボンナノチューブトランジスタと同様の結果を得た。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *アレイ ,  結晶方位 ,  結晶成長 ,  基板 ,  金電極 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  酸化ハフニウム ,  薄膜 ,  酸化膜 ,  電極 ,  積層構造 ,  等価回路 ,  電流電圧特性 ,  Ohm接触 ,  接触抵抗 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ヘテロ接合 ,  ゲート絶縁膜 ,  石英基板 ,  カーボンナノチューブFET ,  化成皮膜
準シソーラス用語： オーミック接触 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  ゲート誘電体 ,  チタン電極 ,  結晶配向

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層カーボンナノチューブ ,  配向 ,  アレイ ,  トランジスタ ,  スケーリング